單面拋光機(jī)是指采用化學(xué)機(jī)械拋光方法，對300m雙面拋光硅片的正向建行再次拋光，以降低硅片表面的微粗糙度和霧狀(Haze)缺陷的工藝設(shè)備。30mm硅片經(jīng)過雙面拋光后，由于仍然存在表面損傷缺陷，以及上道工字形成的表面活污，在顯微鏡下觀看，好像存在一層霧狀組織，這會影響后續(xù)外延工藝質(zhì)量或器件性能質(zhì)量，因此需要通過再次精細(xì)拋光，*限度地減小零狀缺陷，所以單面拋光也稱為霧拋光( Haze Polishing)。300mm 硅片經(jīng)過單面拋光后，后續(xù)的制造工藝不再有機(jī)械性質(zhì)的加工過程，所以單面拋光機(jī)也稱為最終拋光機(jī)。

在加工去除原理上，單面拋光的去除原理與硅片拋光機(jī)的工作原理相同。由于單面拋光是精細(xì)拋光，拋光液需采用精細(xì)磨料以形成適度的去除率，相應(yīng)的拋光工藝- -般采用多次拋光，所以單面拋光機(jī)般采用兩個或三個串行拋光流程結(jié)構(gòu)。它可實(shí)現(xiàn)粗拋一精拋一精細(xì)拋的效果，圖中箭頭所示方向?yàn)楣杵瑨伖饬鞒痰墓に囄恢庙樞颉?/p>

另外，考慮到硅片表面污染及拋光去除形成的硅片面型精度要求，單面拋光機(jī)的拋光液是開放性的，不可回收再利用。同時，考慮到拋光墊去除作用的影響及拋光液在拋光墊上的分布等因素，單面拋光機(jī)理論上采取單片/單臺(單硅片、單拋光臺)結(jié)構(gòu)方式(類似CMP設(shè)備方式)，在單面拋光過程中，硅片利用真空吸附并夾持在保持環(huán)內(nèi)，隨著拋光頭做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動和往復(fù)擺動運(yùn)動。拋光頭施壓機(jī)構(gòu)形成壓力，使硅片與拋光墊壓緊，拋光墊隨拋光臺做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，硅片與拋光墊形成相對運(yùn)動，產(chǎn)生機(jī)械摩擦，從而形成去除作用。微光墊修整器對毛刷盤施加一定的壓力井做旋轉(zhuǎn)和往復(fù)擺動運(yùn)動，對拋光墊進(jìn)行自廂性修正，從而保持推光墊的摩擦去除性能。

由于單面拋光工藝中的拋光液是開放性的，所以單面拋光的成本較高。為了提高拋光液的利用率，同時考慮到提高單面拋光機(jī)設(shè)備的加工效率，單面拋光機(jī)般采用雙頭/單臺(雙硅片、單拋光臺)結(jié)構(gòu)方式，以拋光臺數(shù)量來分類，單面拋光機(jī)可分為單臺單面拋光機(jī)、雙臺單面拋光機(jī)和三臺單面拋光機(jī)。早期的單臺單面拋光機(jī)采用多頭(一般為4頭)拋光結(jié)構(gòu)，可明顯提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，但為了實(shí)現(xiàn)粗拋、精拋、精細(xì)拋等自動過程，需要集成自動化硅片傳輸裝置，將兩臺以上的單臺單面拋光機(jī)聯(lián)接起來使用。隨著30m硅片被應(yīng)用到65m以下節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)集成電路制造中，對硅片質(zhì)量的要求越來越高，所以市場上主要以三臺單面拋光機(jī)為主流設(shè)備。

單面拋光機(jī)的另一種 分類方式是依拋光頭運(yùn)動軌跡來劃分，可分為旋轉(zhuǎn)式和直線式兩種。旋轉(zhuǎn)式單面拋光機(jī)的所有拋光頭、拋光臺均環(huán)繞中心轉(zhuǎn)軸布局，拋光頭( 圖中僅標(biāo)注了拋光頭1)通過中心軸的旋轉(zhuǎn)分度，運(yùn)動到所需工位的拋光臺對硅片進(jìn)行拋光。旋轉(zhuǎn)式單面拋光機(jī)結(jié)構(gòu)較為緊湊。為了提高單面拋光機(jī)的生產(chǎn)效率，按照當(dāng)前技術(shù)現(xiàn)狀，三臺拋光機(jī)結(jié)構(gòu)同時有6個拋光頭參與拋光，加之有另外2個拋光頭參與硅片裝載與卸載，這樣的單面拋光機(jī)就有8個拋光頭，因此三臺/八頭拋光機(jī)是30m硅片單面拋光機(jī)的主流設(shè)備。而直線式單面拋光機(jī)受硅片裝載、卸載的制約，只能設(shè)計(jì)成雙臺/四頭結(jié)構(gòu)，設(shè)備效率較低。